RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
22.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
65
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link