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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
65
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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