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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
77
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
77
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1688
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XJV223-MIE 16GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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