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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2305
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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