RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
65
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link