RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
65
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link