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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
65
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 31 32 33 34 35 36 37
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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