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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Lenovo 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Lenovo 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Lenovo 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lenovo 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
65
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Lenovo 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2951
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Lenovo 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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