RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
65
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link