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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
65
En -261% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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