RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
65
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2359
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link