RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
65
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link