RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
65
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link