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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
65
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
54
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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