RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
83
En 71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
83
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Lenovo 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link