RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
83
Por volta de 71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
83
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link