RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2485
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link