RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2485
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link