RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1916
2445
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link