RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51% выше полоса пропускания
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 51
    Около -104% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.9 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.6 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 12.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2687 left arrow 3023

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
модули RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
модули RAM