RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3023
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link