RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3023
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link