RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3023
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link