RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link