RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
122
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
122
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
1411
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link