RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link