RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link