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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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