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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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