RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link