RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link