RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
53
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
53
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link