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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
53
周辺 55% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
13.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
53
読み出し速度、GB/s
16.0
13.5
書き込み速度、GB/秒
12.5
13.1
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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