RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3477
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link