RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
34
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3477
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link