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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2982
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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