RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de 31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2982
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link