RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link