RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link