RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
84
En 71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
84
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1574
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link