RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
84
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
84
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1574
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link