RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2987
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link