RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de 29% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2987
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link