RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3158
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link