RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3283
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link