RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de 20% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3283
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link