RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link