RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En 17% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link