RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link