RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
34
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
19
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3192
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link