RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
34
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
19
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3192
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link