RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
55
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
2078
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link