Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB против Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 39
    Около 31% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.8 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.8 left arrow 7.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2137 left arrow 1749
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения